产品详情
简单介绍：
STP-iX455 涡轮分子泵具有性磁力轴承和电机驱动系统，与上一代涡轮泵相比将振动降低了 50%。采用集成的控制器，不需要使用传统的安装于机架上的控制器及互连电缆，不需要水冷却。
此泵的氮气抽速为 450 ls-1。STP-iX455 极为适合电子显微镜、度量学、光刻和其他对振动的应用。
详情介绍：
概述
STP-iX455 涡轮分子泵具有性磁力轴承和电机驱动系统，与上一代涡轮泵相比将振动降低了 50%。采用集成的控制器，不需要使用传统的安装于机架上的控制器及互连电缆，不需要水冷却。
此泵的氮气抽速为 450 ls-1。STP-iX455 极为适合电子显微镜、度量学、光刻和其他对振动的应用。
应用
金属（铝）、钨和电介质（氧化物）以及多晶硅等离子刻蚀（氯化物、氟化物和溴化物）
电子回旋共振 (ECR) 刻蚀
薄膜沉积 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
溅射
离子注入源，射束线泵送端点站
MBE
扩散
光致抗蚀剂脱模
晶体/晶膜生长
晶片检查
负载锁真空腔
科学仪器：表面分析、质谱分析、电子显微镜
高能物理：射束线、加速器
STP-iX455 涡轮分子泵具有性磁力轴承和电机驱动系统，与上一代涡轮泵相比将振动降低了 50%。采用集成的控制器，不需要使用传统的安装于机架上的控制器及互连电缆，不需要水冷却。
此泵的氮气抽速为 450 ls-1。STP-iX455 极为适合电子显微镜、度量学、光刻和其他对振动的应用。
应用
金属（铝）、钨和电介质（氧化物）以及多晶硅等离子刻蚀（氯化物、氟化物和溴化物）
电子回旋共振 (ECR) 刻蚀
薄膜沉积 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
溅射
离子注入源，射束线泵送端点站
MBE
扩散
光致抗蚀剂脱模
晶体/晶膜生长
晶片检查
负载锁真空腔
科学仪器：表面分析、质谱分析、电子显微镜
高能物理：射束线、加速器
放射线应用：融合系统、回旋
功能和优势
紧凑型设计，包括集成的控制器
性自传感轴承系统
数字化 5 轴控制
与现有涡轮泵相比振动级别降低了 50%
可以配置为运行腐蚀性制程
自动平衡系统 (ABS) 标准
自动减振 (AVR) 标准
列于 UL 中，具有 CE 标记，符合 SEMI® S2
数据
| 入口法兰 | ISO100K |
| 抽速 |
|
| N2 | 300 ls-1 |
| H2 | 300 ls-1 |
| 压缩比 |
|
| N2 | >108 |
| H2 | >1 x 104 |
| 极限压力 | 6.5 x 10-6 Pa |
| 大工作压力 | 1.3 x 10-1 Pa |
| 允许的前级压力 | 67 Pa |
| 额定速度 | 55000 rpm |
| 启动时间 | <6 分钟 |
| 固定位置 | 任何方向 |
| 冷却方法 | 自然冷却（加热和气体泵送时进行水冷却或空气冷却） |
| 润滑油 | 不需要 |
| 前级泵 | 240 lmin-1 |
| 泄露磁通量 |
|
| 轴向方向 | <100 m/Gauss |
| 径向方向 | <100 m/Gauss |
| 环境温度范围 | 0 至 40 °C |
| 存储温度范围 | -25 至 55 °C |
| 重量 | 15 kg |
